斐成開發科技股份有限公司簡介
82年 |
本公司於民國82年12月設立於高雄市楠梓區,專營電子、電機、電腦零件設備買賣及進出口等業務。設立時主要代理銷售日本三菱等國際大廠之電子零組件。 |
86年 |
為加強與客戶間之密切聯繫及擴展北區市場,民國86年9月間本公司於新北市新莊區成立聯絡處,並於民國89年4月遷至新北市三重區。 |
89年 |
4月新增日本丸和、美商Steward大中華區等產品線之總代理,同時擴大公司營運規模。 |
91年 |
為強化公司競爭力,於民國91年初爭取到日本釜屋及美商ITTI等產品線之代理權。 |
92年 |
8月11日經證券主管機關核准公開發行。 |
93年 |
5月股票登錄興櫃買賣。 |
6月取得ISO 9001品質認證。 | |
12月成立日本松木陶瓷株式會社。 | |
94年 |
元月總公司遷址至高雄市苓雅區四維三路6號24樓之2。 |
5月及8月,增加對日本松木陶瓷株式會社之投資,以導入Matsuki自有品牌。 | |
95年 |
5月29日正式在財團法人中華民國櫃檯買賣中心上櫃掛牌。 |
6月於台灣投資設立松木高分子科技(股)公司。 | |
7月增加對松木高分子科技(股)公司的投資,並轉投資韓國Enesol CO.,LTD.取得該公司部分股權,共同合作開發高分子固態電容器。 | |
9月投資設立Force Mos Technology Co.,Ltd.。 其主要業務係設計及買賣金屬氧化層半導體場效電晶體(簡稱:MOSFET)之IC。 | |
96年 |
4月松木高分子科技(股)公司對韓國孫公司Enesol的持股上升,順利取得經營權,有利該公司固態電容的技術移轉及資源整合。 |
6月於台灣投資設立力士科技(股)公司。 其主要業務係設計及買賣金屬氧化層半導體場效電晶體(簡稱:MOSFET)之IC。 | |
98年 |
12月被投資公司力士科技(股)公司首次辦理股票公開發行申請核准。 |
99年 |
3月向臺灣集中保管結算所申請實體股票全面轉換為無實體發行之登錄。 |
7月辦理九十九年第一次私募增資發行。 | |
8月松木高分子科技(股)公司處份韓國ENESOL CO.,LTD之全部股份。 | |
100年 |
6月總公司遷址至新北市三重區中興里興德路111之5號13樓。 |
102年 |
9月發行斐成國內第二次有擔保可轉換公司債。 |
12月全數清算出售英屬開.曼群島LePower公司持股。 | |
104年 |
4月向臺灣集中保管結算所申請私募實體股票全面轉換為無實體發行之登錄。 |
6月松木高分子科技(股)公司辦理第一次增資。 | |
106年 |
2月日本松木精密陶瓷株式會社完成清算。 |
2月、5月及12月董事會決議購入不動產。 | |
5月松木高分子科技(股)公司106年05月19日股東常會通過公司解散案。 | |
11月通過子公司Perfect Bass Co., Ltd.及斐成(上海)貿易有限公司之撤資案。 | |
107年 |
1月完成處分本公司新北市三重區不動產。 |
1月松木高分子科技(股)公司完成清算並退回投資款。 | |
7月起業務轉型至養殖畜牧業務及大宗原物料買賣等產業。 | |
108年 |
9月總公司遷址至高雄市岡山區中山北路28號6樓B室。 |
12月斐成(上海)貿易有限公司完成清算。 | |
109年 |
4月辦理108年第一次私募增資。 |
110年 |
8月總公司遷址至台南市安平區永華路二段248號11樓之2。 |
12月本公司取得台南市中西區星鑽段1筆土地。 | |
12月辦理110年第一次及第二次私募增資。 | |
111年 |
4月本公司取得台南市北區北華段1筆土地。 |
4月本公司取得台南市仁德區白崙段1筆土地。 | |
112年 |
5月本公司改名為斐成開發科技股份有限公司,於6月經濟部變更登記完成。 |
7月辦理112年第一次私募增資。 | |
10月辦理112年第二次私募增資。 | |
113年 |
9月本公司取得台南市中西區府前段一筆土地。 11月發行斐成國內第三次有擔保可轉換公司債。 |
114年 | 3月辦理現金增資新台幣520,000千元,增資後實收資本額為新台幣2,207,708千元。 |